Diodo SiC de alta condutividade térmica DPAK (TO-252AA)

Breve descrição:

Estrutura da embalagem: DPAK (TO-252AA)

Introdução: O diodo SiC YUNYI DPAK (TO-252AA), que é feito de materiais de carboneto de silício, tem alta condutividade térmica e forte capacidade de transferir calor, mais propício para melhorar a densidade de potência do dispositivo de potência, por isso é mais adequado para trabalhando em um ambiente de alta temperatura. A alta intensidade do campo de ruptura dos diodos SiC aumenta a tensão suportável e reduz o tamanho, e a alta intensidade do campo de ruptura eletrônica aumenta a tensão de ruptura dos dispositivos de potência semicondutores. Ao mesmo tempo, devido ao aumento da intensidade do campo de ruptura de elétrons, no caso de aumentar a densidade de penetração de impurezas, a banda larga da região de deriva do dispositivo de potência do diodo SiC pode ser reduzida, de modo que o tamanho do dispositivo de potência pode ser reduzido.

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Méritos do diodo SiC DPAK (TO-252AA) da YUNYI:

1. Custo competitivo com qualidade de alto nível

2. Alta eficiência de produção com curto prazo de entrega

3. Tamanho pequeno, ajudando a otimizar o espaço da placa de circuito

4. Estável e confiável em vários ambientes naturais

5. Chip de baixa perda autodesenvolvido

Procedimentos de produção de chips:

1. Impressão mecânica （Impressão automática de wafer superprecisa）

2. Primeira gravação automática (Equipamento de gravação automática, CPK> 1,67)

3. Teste automático de polaridade （Teste de polaridade preciso）

4. Montagem automática （Montagem automática precisa autodesenvolvida）

5. Soldagem (proteção com mistura de soldagem a vácuo de nitrogênio e hidrogênio)

6. Segunda gravação automática (segunda gravação automática com água ultrapura)

7. Colagem automática (colagem uniforme e cálculo preciso são realizados por equipamento de colagem automática precisa)

8. Teste Térmico Automático (Seleção Automática por Testador Térmico)

9. Teste Automático (Testador Multifuncional)

Parâmetros de produtos:

Número da peça	Pacote	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3(0,03 típico)	1,7(1,5 típico)
ZICRD10650CT	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1,8
ZICRD12600	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2(0,03 típico)	1,7(1,4 típico)
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40(0,7 típico)	1,7(1,45 típico)
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200(20 típico)	1,8(1,5 típico)
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200(20 típico)	1,8(1,65 típico)
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50(10 típico)	1,8(1,5 típico)
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200(30 típico)	1,8(1,5 típico)
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200(35 típico)	1,8(1,6 típico)
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70 (por perna)	8(0,002 típico)(por perna)	1,7(1,5 típico)(por perna)