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Grande eficiência e durabilidade Diodo SiC 3L TO-220AB

Pequena descrição:

Estrutura da embalagem: 3L TO-220AB

Introdução: O diodo SiC YUNYI 3L TO-220AB é feito de materiais de carboneto de silício.Os diodos SiC têm alta condutividade térmica, o que pode efetivamente melhorar a densidade de potência.Quanto maior a condutividade térmica, mais forte será a capacidade do material de transferir calor para o ambiente, quanto menor for o aumento de temperatura do dispositivo, mais propício para melhorar a densidade de potência do dispositivo de potência, por isso é mais adequado para trabalhar em um ambiente de alta temperatura.A alta intensidade do campo de ruptura dos diodos SiC aumenta a tensão suportável e reduz o tamanho, e a alta intensidade do campo de ruptura eletrônica aumenta a tensão de ruptura dos dispositivos de potência semicondutores.Ao mesmo tempo, devido ao aumento da intensidade do campo de ruptura de elétrons, no caso de aumentar a densidade de penetração de impurezas, a banda larga da região de deriva do dispositivo de potência do diodo SiC pode ser reduzida, de modo que o tamanho do dispositivo de potência pode ser reduzido.


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Vantagens do diodo SiC 3L TO-220AB da YUNYI:

1. Custo competitivo com qualidade de alto nível

2. Alta eficiência de produção com curto prazo de entrega

3. Tamanho pequeno, ajudando a otimizar o espaço da placa de circuito

4. Suportável em vários ambientes naturais

5. Chip de baixa perda autodesenvolvido

3L TO-220AB

Etapas de produção de chips:

1. Impressão mecânica (Impressão automática de wafer superprecisa)

2. Primeira gravação automática (Equipamento de gravação automática, CPK> 1,67)

3. Teste automático de polaridade (Teste de polaridade preciso)

4. Montagem automática (Montagem precisa automática autodesenvolvida)

5. Soldagem (proteção com mistura de soldagem a vácuo de nitrogênio e hidrogênio)

6. Segunda gravação automática (segunda gravação automática com água ultrapura)

7. Colagem automática (colagem uniforme e cálculo preciso são realizados por equipamento de colagem automática precisa)

8. Teste Térmico Automático (Seleção Automática por Testador Térmico)

9. Teste Automático (Testador Multifuncional)

贴片检测
芯片组装

Parâmetros de produtos:

Número da peça Pacote VRWM
V
IO
A
IFZM
A
IR
μa
VF
V
ZICRF10650CT ITO-220AB 650 10 60 60 1.7
ZICRF5650 ITO-220AC 650 5 60 60 2
ZICRF6650 ITO-220AC 650 6 60 50 2
Z3D06065F ITO-220AC 650 6 70 3(0,03 típico) 1,7(1,5 típico)
ZICRF10650 ITO-220AC 650 10 100 120 1.7
ZICRF101200 ITO-220AC 1200 10 110 100 1,8
ZICRF12600 ITO-220AC 600 12 50 150 1.7
ZICRF12650 ITO-220AC 650 12 50 150 1.7
Z3D03065F ITO-220AC 650 3 46 2(0,03 típico) 1,7(1,4 típico)
Z3D10065F ITO-220AC 650 10 115 40(0,7 típico) 1,7(1,45 típico)
Z4D10120F ITO-220AC 1200 10 105 200(30 típico) 1,8(1,5 típico)
ZICR10650CT PARA-220AB 650 10 60 60 1.7
Z3D20065C PARA-220AB 650 20 115 (por perna) 40(0,7 típico)(por perna) 1,7(1,45 típico)(por perna)
ZICR5650 TO-220AC 650 5 60 60 2
ZICR6650 TO-220AC 650 6 60 50 2
Z3D06065A TO-220AC 650 6 70 3(0,03 típico) 1,7(1,5 típico)
Z3D10065A TO-220AC 650 10 115 40(0,7 típico) 1,7(1,45 típico)
ZICR10650 TO-220AC 650 10 110 100 1.7
Z3D20065A TO-220AC 650 20 170 50(1,5 típico) 1,7(1,45 típico)
ZICR101200 TO-220AC 1200 10 110 100 1,8
ZICR12600 TO-220AC 600 12 50 150 1.7
ZICR12650 TO-220AC 650 12 50 150 1.7
Z3D03065A TO-220AC 650 3 46 2(0,03 típico) 1,7(1,4 típico)
Z4D04120A TO-220AC 1200 4 46 200(20 típico) 1,8(1,5 típico)
Z4D05120A TO-220AC 1200 5 46 200(20 típico) 1,8(1,65 típico)
Z4D02120A TO-220AC 1200 2 44 50(10 típico) 1,8(1,5 típico)
Z4D10120A TO-220AC 1200 10 105 200(30 típico) 1,8(1,5 típico)
Z4D20120A TO-220AC 1200 20 162 200(35 típico) 1,8(1,5 típico)
Z4D08120A TO-220AC 1200 8 64 200(35 típico) 1,8(1,6 típico)
Z4D15120A TO-220AC 1200 15 100 200(35 típico) 1,8(1,5 típico)
Z3D15065A TO-220AC 650 15 162 25(0,5 típico) 1,7(1,5 típico)
Z3D06065I TO-220-IZolação 650 6 70 3(0,03 típico) 1,7(1,5 típico)
Z3D10065I TO-220-IZolação 650 10 115 40(0,7 típico) 1,7(1,45 típico)

 


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