Diodo SiC TO-247AC altamente confiável e desenvolvido por nós mesmos

Descrição curta:

Estrutura da embalagem: TO-247AC

Introdução: O diodo SiC YUNYI TO-247AC é feito de carboneto de silício. Os diodos SiC podem efetivamente aumentar a densidade de potência por meio de alta condutividade térmica. Quanto maior a condutividade térmica, maior a capacidade do material de dissipar calor para o ambiente; quanto menor o aumento de temperatura do dispositivo, mais propício é o aumento da densidade de potência do dispositivo de energia. Essa vantagem torna os diodos SiC da YUNYI mais adequados para trabalhar em ambientes de alta temperatura. A alta intensidade do campo de ruptura dos diodos SiC aumenta a tensão de resistência e reduz o tamanho, e a alta intensidade do campo de ruptura eletrônico aumenta a tensão de ruptura dos dispositivos de energia semicondutores. Ao mesmo tempo, devido ao aumento da intensidade do campo de ruptura de elétrons, no caso de aumento da densidade de penetração de impurezas, a banda larga da região de deriva do dispositivo de energia do diodo SiC pode ser reduzida, de modo que o tamanho do dispositivo de energia possa ser reduzido.